Equipe 5

Titre de l’Equipe2 
 Semi-conducteurs et Applications Photo Catalytiques
Acronymeéventuel 
DPE
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Localisation physique 
USTHB, Faculté de Chimie
Nom - Chef d’équipe
Bessekhouad Yassine ybessekhouad@yahoo.fr
 
Grade : Doct. Hab.
 
Liste exhaustive des membres de l’équipe par grade en commençant par les séniors
Nom & Prénom
Sex
Dernier diplôme
Grade
Spécialité
Structure de
 rattachement 
Bessekhouad Yassine
M
Doct. Hab.
Maître de Conférences
Chimie Physique
USTHB - E.N.S.V
Gharbi Rachid
M
Docteur S-science
Maître de Recherche
Chimie Physique
USTHB
Dib Khaoula
F
Doctorat LMD
Maître de Recherche.
Analyse et contrôle
USTHB
Brahimi Razika
F
Doctorat S-science
Maître de Conf. B
Chimie Physique
USTHB
Rekhila Gharib
M
Docteur S-science
M.A.A
Chimie Physique
USTHB

Description des travaux de l’équipe :

Notre équipe de recherche travaille sur le développement de matériaux semi-conducteurs à bandes interdites larges et réduites à travers l’utilisation de processus de dopage anionique et cationique. Le but étant l’obtention de collecteurs photoniques et de transporteurs d’électron à haut rendement. L’ensemble s’inscrivant dans une perspective d’exploitation du spectre d’émission solaire à 95% (fraction visible) pour des applications photo catalytiques. Les semi-conducteurs concernés sont de type AO et BC2O4 ou les atomes A, B et C sont des métaux de transition. Lors des processus de dopage des métaux en faible quantité sont introduits dans la structure cristalline de base. Ces derniers sont généralement de valence supérieure ou inferieure, afin de générer des porteurs de charges. Cette configuration s’inscrit dans la production de semi-conducteur de type n et p. Pour le dopage anionique, des non-métaux sont utilisés pour la modification de la structure de bande énergétique, ce qui vise à améliorer la mobilité des porteurs de charges. D’autres effets, notamment la modification de la conductivité et du gap-optique peuvent être observés. En ce qui concerne les solutions solides, la stratégie consiste à introduire des métaux de valence similaire en substitution d’atomes existants dans la structure, afin d’induire une mobilité des bandes.